Samsung

2000-гигабайтный M.2 NVMe накопитель Samsung 990 EVO ориентирован на оснащение мощных игровых и универсальных компьютеров. Модель отличается низким энергопотреблением: при любых нагрузках показатель не превышает 5.5 Вт. Технология Modern Standby позволяет получать уведомления и оставаться на связи с Интернетом в энергоэффективном режиме. Программное обеспечение Samsung Magic используется для переноса данных, контроля состояния устройства и обновления прошивки. Модель защищена от перегрева рассеивающей тепло этикеткой. Гарантия 12 мес. Срок эксплуатации 24 мес. Тип SSD M.2 накопитель М..

• Мощность (Вт) 90W
• Разъем (мм) 5.5x3.0
• Напряжение БП 19V

• Напряжение аккумулятора 11.1V
• Емкость аккумулятора 5200mAh

• Напряжение аккумулятора 11.1V
• Емкость аккумулятора 4400mAh

В списке совместимостей с моделями ноутбуков указаны лишь некоторые (наиболее распространенные) модели ноутбуков, но это далеко не полный список. Если вы не знаете точно, подойдет ли данная аккумуляторная батарея к вашему ноутбуку, свяжитесь с нами, мы вас обязательно проконсультируем. Подходит к сериям ноутбуков: Samsung 70A00D/SEG, R70A00E/SEG, R39, R408, R458, M60, NP-P50, NP-P60, NP-R40 Plus, NP-R40, NP-R45, NP-R65, NP-R70, NP-X60, P210, P210, P460, P50, P560, P60, Q210, Q310, R40, R410, R41, R45, R460, R460, R505, R509, R510, R560, R60, R610, R65, R70, R700, R710, X360, X460, X60, X65, NP..

• Мощность (Вт) 90W
• Разъем (мм) 5.5x3.0 с иглой
• Напряжение БП 19V

• Мощность (Вт) 40W
• Разъем (мм) 2.5x0.7
• Напряжение БП 12V

• Мощность (Вт) 42W
• Разъем (мм) 4.0x1.5
• Напряжение БП 12V

• Мощность (Вт) 40W
• Разъем (мм) 3.0x1.1
• Напряжение БП 19V

• Мощность (Вт) 60W
• Разъем (мм) 3.0x1.1
• Напряжение БП 19V

• Мощность (Вт) 60W
• Разъем (мм) 5x3 с иглой
• Напряжение БП 19V

• Мощность (Вт) 60W
• Разъем (мм) 5.5x3.0
• Напряжение БП 19V

• Мощность (Вт) 90W
• Разъем (мм) 5x3 с иглой
• Напряжение БП 19V

Код производителя MZ-V8V1T0BW Интерфейс PCI-E x4 Форм-фактор M.2 Назначение внутренний Тип SSD Объём накопителя 1000 Гб Тип флэш-памяти TLC Контроллер Samsung Pablo Controller Скорость чтения 3500 Мб/сек Скорость записи 3000 Мб/сек Время наработки на отказ 1500000 ч Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов 500000 IOPS Скорость произвольной записи 4 КБ файлов 480000 IOPS..

Тип флеш-памяти MLC 3D NAND Ресурс SSD (TBW) 150 Время наработки на отказ, ч 1500000 Контроллер Samsung Потребляемая мощность (режим ожидания), Вт 0.3 Макс. скорость случайной записи (блоки 4Кб), IOPS 550000 Пропускная способность интерфейса 6 Гбит/с Вес товара, г 79 Размеры, мм 22 x 80 x 2 мм Материал корпуса Металлический сплав Форм-фактор M.2 Объем 250 ГБ Макс. Скорость чтения, Мб/с 3500 Макс. Скорость записи, Мб/с 2300 Интерфейс SSD PCI-E 3.0 Цвет Черный Гарантийный срок 12 мес. Ударопрочный корпус Нет Назначение Для настольного компьютера Расположение..

Артикул производителя (Part Number) MZ-V8V250BW Линейка 980 Тип SSD Назначение Для настольного компьютера, Для ноутбука Форм-фактор М.2 2280 Ёмкость 250 GB Ёмкость (после форматирования) 232.83 GiB Тип памяти MLC 3D V-NAND Контроллер Samsung Pablo Внешняя скорость передачи данных, до 3940 МБ/с Максимальная скорость чтения 2900 МБ/с Максимальная скорость записи 1300 МБ/с Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) 230000 IOPS Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) 320000 IOPS Поддержка TRIM Есть Поддержка Background Garbage Collection Есть Шифрование данных Ест..