Тестер ESR-T4 Mega328

Тестер ESR-T4 Mega328 1 510 ₽

Скоро закончится

На складе: 1 шт. Код товара: izmerpr36

AU Optronics Производитель

1 510 ₽

Быстрый заказ

Скачать КП

Нашли дешевле?

Краткое описание

Тестер транзисторов, LCR-метр, ESR-метр LCR-T4 на микроконтроллере ATmega328. Транзистор тестер позволяет определять тип и цоколевку радиоэлектронных компонентов (резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET полевой транзистор, маломощный тиристор, симистор. Тестер транзисторов измеряет ряд параметров транзисторов, как биполярных так и полевых. Многофунциональным тестером можно измерить с высокой точностью сопротивление резистора, емкость конденсатора, ESR конденсатора, индуктивность дросселя, емкость перехода в диодах и транзисторах, пороговое напряжение затвора в полевых транзисторах,. Транзистор тестер поставляется без корпуса. Корпус для тестера можно приобрести отдельно. Транзистор тестер питается от 9 вольтовой батареи типа "Крона" (не входит в комплект поставки).

Описание

* Разряжайте конденсаторы до тестирования!
1 Проверка полупроводников, конденсаторов, резисторов, индуктивностей производится за одну операцию – нажатием кнопки.
2. 2. Транзистор тестер имеет функцию самоотключения. Потребляемый ток после отключения не более 20nA.
3. Диапазон измерения сопротивления резисторов составляет от 0,1 Ом до 50M Ом с точностью 1%.
4. Диапазон измерения емкости 25рF - 100mF и точностью 1%.
5. Диапазон измерения индуктивности 0,01mН - 20H и точностью 1%.
6. Определение типа и цоколевки NPN, PNP биполярных транзисторов, N -канальных и Р- канальных MOS FET, JFET полевых транзисторов, диодов, двойных диодов, тиристоров небольшой мощности, однонаправленных и двунаправленных тиристоров.
7. Измерение в биполярных транзисторах коэффициента усиления и порогового напряжения база – эмиттер.
8. Обнаружение защитных диодов в биполярных и MOS FET полевых транзисторах.
9. Идентификация транзисторов Дарлингтона.
10. Измерение порогового напряжения и емкости затвора в MOS FET полевых транзисторах.
11. Измерение ESR конденсатора с разрешением 0,01 Ом.
12. Идентификация двойных резисторов (потенциометров) с отображение на дисплее символов резистора.
13. Идентификация двойных диодов с измерением прямого напряжения каждого перехода.
14. Идентификация комбинированных светодиодов.
15. Определение напряжения пробоя в стабилитронах с напряжением не более 4.5V.

Отзывы 0